Інші пропозиції STQ2HNK60ZR-AP за ціною від 22.08 грн до 106.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STQ2HNK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 6703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STQ2HNK60ZR-AP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STQ2HNK60ZR-AP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STQ2HNK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STQ2HNK60ZR-AP |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
STQ2HNK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STQ2HNK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |