STQ2HNK60ZR-AP

STQ2HNK60ZR-AP STMicroelectronics


en.CD00003701.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A; 3W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 3W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Pulsed drain current: 2A
на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.84 грн
16+24.75 грн
50+21.07 грн
68+13.10 грн
187+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STQ2HNK60ZR-AP STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STQ2HNK60ZR-AP за ціною від 14.90 грн до 109.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Виробник : STMicroelectronics en.CD00003701.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A; 3W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 3W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Pulsed drain current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.60 грн
10+30.85 грн
50+25.29 грн
68+15.73 грн
187+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Виробник : STMICROELECTRONICS 2307234.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.34 грн
50+55.21 грн
100+43.08 грн
500+33.34 грн
1000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Виробник : STMicroelectronics en.CD00003701.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 6703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.38 грн
10+59.31 грн
100+40.16 грн
500+29.43 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Виробник : STMICROELECTRONICS 2307234.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.71 грн
13+67.34 грн
100+43.08 грн
500+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Виробник : STMicroelectronics stq2hnk60zr_ap-2956175.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.86 грн
10+68.02 грн
100+38.92 грн
500+30.53 грн
1000+27.81 грн
2000+25.38 грн
4000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP en.CD00003701.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP
Код товару: 182267
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00003701.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Виробник : STMicroelectronics 10470853756156cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Виробник : STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Виробник : STMicroelectronics en.CD00003701.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.