STQ2LN60K3-AP STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 17.38 грн |
| 4000+ | 15.32 грн |
| 6000+ | 14.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STQ2LN60K3-AP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2LN60K3-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 600 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STQ2LN60K3-AP за ціною від 12.33 грн до 68.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STQ2LN60K3-AP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92 |
на замовлення 5302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STQ2LN60K3-AP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2LN60K3-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 600 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STQ2LN60K3-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STQ2LN60K3-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 3-Pin TO-92AP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STQ2LN60K3-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A 3-Pin TO-92AP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STQ2LN60K3-AP | Виробник : STMicroelectronics |
STQ2LN60K3-AP THT N channel transistors |
товару немає в наявності |