STR2N2VH5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 29.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STR2N2VH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STR2N2VH5 за ціною від 12.75 грн до 115.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STR2N2VH5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STR2N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V |
на замовлення 77851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STR2N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V |
на замовлення 5166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STR2N2VH5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STR2N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
STR2N2VH5 SMD N channel transistors |
на замовлення 424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STR2N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STR2N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STR2N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STR2N2VH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |