Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > STR2P3LLH6

STR2P3LLH6

en.DM00084050.pdf
Код товару: 150689
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STR2P3LLH6 за ціною від 8.67 грн до 50.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00084050.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.65 грн
6000+10.27 грн
9000+9.78 грн
15000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 STMicroelectronics str2p3llh6.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.2A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.29 грн
16+27.11 грн
50+19.24 грн
100+16.67 грн
500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00084050.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.37 грн
10+29.85 грн
100+19.20 грн
500+13.69 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 STMicroelectronics str2p3llh6-1851969.pdf MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package
на замовлення 32233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 en.DM00084050.pdf
STR2P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.65 грн
6000+10.27 грн
9000+9.78 грн
15000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 str2p3llh6.pdf
STR2P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.2A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.29 грн
16+27.11 грн
50+19.24 грн
100+16.67 грн
500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 en.DM00084050.pdf
STR2P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.37 грн
10+29.85 грн
100+19.20 грн
500+13.69 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 str2p3llh6-1851969.pdf
STR2P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package
на замовлення 32233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.