STR2P3LLH6 STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STR2P3LLH6 STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STR2P3LLH6 за ціною від 9.32 грн до 42.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STR2P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 14612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package |
на замовлення 20198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 Код товару: 150689 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |