STR2P3LLH6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.09 грн |
| 6000+ | 10.67 грн |
| 9000+ | 10.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STR2P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STR2P3LLH6 за ціною від 10.59 грн до 58.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STR2P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package |
на замовлення 32233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 10900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
STR2P3LLH6 SMD P channel transistors |
на замовлення 2939 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 Код товару: 150689
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|