STR2P3LLH6
Код товару: 150689
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STR2P3LLH6 за ціною від 8.65 грн до 50.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -8A Drain current: -1.2A Gate charge: 6nC On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 15246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package |
на замовлення 32233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm |
на замовлення 7599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm |
на замовлення 7599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.62 грн |
| 6000+ | 10.24 грн |
| 9000+ | 9.76 грн |
| 15000+ | 8.65 грн |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 14.37 грн |
| 9000+ | 13.49 грн |
| 24000+ | 13.35 грн |
| 30000+ | 12.48 грн |
| 45000+ | 11.52 грн |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 14.37 грн |
| 9000+ | 13.49 грн |
| 24000+ | 13.35 грн |
| 30000+ | 12.48 грн |
| 45000+ | 11.52 грн |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 619+ | 22.81 грн |
| 622+ | 22.70 грн |
| 746+ | 18.94 грн |
| 1000+ | 17.81 грн |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.78 грн |
| 33+ | 23.28 грн |
| 100+ | 19.18 грн |
| 250+ | 12.95 грн |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 362+ | 39.06 грн |
| 507+ | 27.84 грн |
| 520+ | 27.16 грн |
| 647+ | 21.05 грн |
| 1000+ | 15.02 грн |
| 3000+ | 12.43 грн |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.2A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.2A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 39.20 грн |
| 16+ | 27.05 грн |
| 50+ | 19.19 грн |
| 100+ | 16.63 грн |
| 500+ | 14.64 грн |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 45.68 грн |
| 19+ | 39.85 грн |
| 25+ | 39.06 грн |
| 100+ | 26.84 грн |
| 250+ | 24.25 грн |
| 500+ | 18.71 грн |
| 1000+ | 14.42 грн |
| 3000+ | 12.43 грн |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.26 грн |
| 10+ | 29.78 грн |
| 100+ | 19.16 грн |
| 500+ | 13.66 грн |
| 1000+ | 12.27 грн |
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package
на замовлення 32233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 7599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STR2P3LLH6 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 7599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






