STR2P3LLH6
Код товару: 150689
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STR2P3LLH6 за ціною від 8.77 грн до 50.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -8A Drain current: -1.2A Gate charge: 6nC On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package |
на замовлення 32233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STR2P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 15246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STR2P3LLH6 | Виробник : STM |
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |


