STS10DN3LH5 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.18 грн |
| 5000+ | 32.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS10DN3LH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS10DN3LH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції STS10DN3LH5 за ціною від 25.92 грн до 182.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STS10DN3LH5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STS10DN3LH5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STS10DN3LH5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STS10DN3LH5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STS10DN3LH5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STS10DN3LH5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS10DN3LH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STS10DN3LH5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STS10DN3LH5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.18 грн |
| 5000+ | 32.85 грн |
| STS10DN3LH5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 37.04 грн |
| STS10DN3LH5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.96 грн |
| STS10DN3LH5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.26 грн |
| STS10DN3LH5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 133.25 грн |
| 10+ | 81.44 грн |
| 100+ | 54.74 грн |
| 500+ | 40.65 грн |
| 1000+ | 37.20 грн |
| STS10DN3LH5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS10DN3LH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STS10DN3LH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 182.08 грн |
| 11+ | 77.87 грн |
| 100+ | 52.35 грн |
| 500+ | 32.83 грн |
| 1000+ | 26.48 грн |
| 5000+ | 25.92 грн |
| STS10DN3LH5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)