STS10P4LLF6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 51.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS10P4LLF6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS10P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STS10P4LLF6 за ціною від 33.28 грн до 131.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS10P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 40V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS10P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ 10 A STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 3389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.7W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.7W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |