STS10P4LLF6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS10P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: StripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 63.64 грн |
| 500+ | 53.62 грн |
| 1000+ | 47.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS10P4LLF6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS10P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: StripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.
Інші пропозиції STS10P4LLF6 за ціною від 39.26 грн до 118.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ 10 A STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 4943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS10P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: StripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
на замовлення 2099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.7W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 40V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 40V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STS10P4LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.7W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |