
STS1NK60Z STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 25.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS1NK60Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STS1NK60Z за ціною від 21.38 грн до 26.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STS1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STS1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
STS1NK60Z | Виробник : ST |
![]() |
на замовлення 64315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
STS1NK60Z | Виробник : ST |
![]() |
на замовлення 38675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
STS1NK60Z | Виробник : ST |
![]() |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
STS1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STS1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STS1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
STS1NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |