на замовлення 2461 шт:
термін постачання 461-470 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.15 грн |
| 10+ | 72.72 грн |
| 100+ | 49.35 грн |
| 500+ | 40.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS2DNF30L STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції STS2DNF30L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STS2DNF30L | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
||
 |
STS2DNF30L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
|
 |
STS2DNF30L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |
|
|
|
STS2DNF30L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |