Продукція > STS > STS4DNF-S30L

STS4DNF-S30L


Виробник:

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STS4DNF-S30L

Description: MOSFET N-CH 30V 4A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STS4DNF-S30L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STS4DNF-S30L
Код товару: 138032
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
товар відсутній
STS4DNFS30L STS4DNFS30L Виробник : STMicroelectronics 1100cd00002834.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R
товар відсутній
STS4DNFS30L STS4DNFS30L Виробник : STMicroelectronics en.CD00002834.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товар відсутній
STS4DNFS30L STS4DNFS30L Виробник : STMicroelectronics en.CD00002834.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товар відсутній
STS4DNFS30L STS4DNFS30L Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00002834-1205069-1275299.pdf MOSFET N-Ch 30 Volt 4 Amp
товар відсутній