STS4DNF30L
Виробник: на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS4DNF30L
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції STS4DNF30L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STS4DNF30L | Виробник : ST |
|
на замовлення 2885 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| STS4DNF30L | Виробник : ST |
09+ SO-8 |
на замовлення 3697 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STS4DNF30L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|
|
|
STS4DNF30L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|
 |
STS4DNF30L | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 30 Volt 3.5 A |
товару немає в наявності |