STS4DNFS30 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.83 грн |
| 10+ | 89.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS4DNFS30 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STS4DNFS30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STS4DNFS30 |
|
на замовлення 4436 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
STS4DNFS30 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SO N T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
STS4DNFS30 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
STS4DNFS30 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N Ch 30V 0.044 Ohm 4.5A |
товару немає в наявності |