STS5P3LLH6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.46 грн |
| 5000+ | 22.43 грн |
| 12500+ | 21.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS5P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.
Інші пропозиції STS5P3LLH6 за ціною від 21.71 грн до 70.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS5P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS5P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS5P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS5P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 23099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS5P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package |
на замовлення 9838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS5P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS5P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STS5P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STS5P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STS5P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; -30V; -3.2A; 2.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: STripFET™ H6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STS5P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; -30V; -3.2A; 2.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: STripFET™ H6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |