| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS5P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STS5P3LLH6 за ціною від 14.58 грн до 88.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STS5P3LLH6 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STS5P3LLH6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STS5P3LLH6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STS5P3LLH6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STS5P3LLH6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO |
на замовлення 16138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STS5P3LLH6 | STMicroelectronics |
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package |
на замовлення 6275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STS5P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
STS5P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STS5P3LLH6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.58 грн |
| STS5P3LLH6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.75 грн |
| STS5P3LLH6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.83 грн |
| STS5P3LLH6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.09 грн |
| 7500+ | 19.67 грн |
| STS5P3LLH6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
на замовлення 16138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.61 грн |
| 10+ | 53.71 грн |
| 50+ | 39.89 грн |
| 100+ | 33.23 грн |
| 500+ | 25.83 грн |
| STS5P3LLH6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STS5P3LLH6 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STS5P3LLH6 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)