на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS6NF20V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STS6NF20V за ціною від 13.12 грн до 73.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS6NF20V | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS6NF20V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS6NF20V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS6NF20V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS6NF20V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS6NF20V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS6NF20V | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS6NF20V | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V |
на замовлення 5694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS6NF20V | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 20 Volt 6 Amp |
на замовлення 18824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS6NF20V | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STS6NF20V | Виробник : ST |
N-MOSFET 6A 20V 2.5W STS6NF20V STM TSTS6NF20V кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STS6NF20V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
товару немає в наявності |