STS6P3LLH6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.7W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 58.49 грн |
| 500+ | 44.81 грн |
| 1000+ | 32.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS6P3LLH6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STS6P3LLH6 за ціною від 22.11 грн до 95.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS6P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ 6 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET |
на замовлення 2186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS6P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STS6P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STS6P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STS6P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STS6P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STS6P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V |
товар відсутній |