Продукція > ST > STS7C4F30L

STS7C4F30L


STS7C4F30L.pdf
Виробник: ST

на замовлення 56760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STS7C4F30L ST

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STS7C4F30L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STS7C4F30L STS7C4F30L Виробник : STMicroelectronics STS7C4F30L.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS7C4F30L STS7C4F30L Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00002420.pdf MOSFETs POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.