на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 54.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS7NF60L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS7NF60L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STS7NF60L за ціною від 54.04 грн до 205.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 6692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STS7NF60L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS7NF60L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II |
на замовлення 8899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|