Технічний опис STS7NF60L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS7NF60L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STS7NF60L за ціною від 48.07 грн до 190.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STS7NF60L | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II |
на замовлення 8899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STS7NF60L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS7NF60L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|