STS7P4LLF6 STMicroelectronics


en.DM00101798.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STS7P4LLF6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2.7W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm.

Інші пропозиції STS7P4LLF6 за ціною від 27.59 грн до 153.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STS7P4LLF6 STS7P4LLF6 STMICROELECTRONICS en.DM00101798.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.61 грн
500+43.90 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 STS7P4LLF6 STMicroelectronics sts7p4llf6-1851726.pdf MOSFETs P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ 7 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+71.21 грн
100+41.77 грн
500+33.76 грн
1000+31.13 грн
2500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 STS7P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101798.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+61.62 грн
100+41.07 грн
500+30.25 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 STS7P4LLF6 STMICROELECTRONICS en.DM00101798.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.83 грн
10+99.06 грн
100+61.61 грн
500+43.90 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 en.DM00101798.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+61.61 грн
500+43.90 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 sts7p4llf6-1851726.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ 7 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.37 грн
10+71.21 грн
100+41.77 грн
500+33.76 грн
1000+31.13 грн
2500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 en.DM00101798.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.96 грн
10+61.62 грн
100+41.07 грн
500+30.25 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6 en.DM00101798.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+153.83 грн
10+99.06 грн
100+61.61 грн
500+43.90 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.