Продукція > STMICROELECTRONICS > STS8DN3LLH5
STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5 STMicroelectronics

en.CD00261578.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STS8DN3LLH5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STS8DN3LLH5 за ціною від 37.27 грн до 158.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5 STMICROELECTRONICS SGSTS36486-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.79 грн
500+50.80 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5 STMicroelectronics en.CD00261578.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.88 грн
100+64.53 грн
500+48.37 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5 STMicroelectronics en.CD00261578.pdf MOSFETs Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.50 грн
10+100.15 грн
100+58.11 грн
500+46.89 грн
1000+43.48 грн
10000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5 STMICROELECTRONICS SGSTS36486-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.50 грн
10+101.61 грн
100+67.79 грн
500+50.80 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5 en.CD00261578.pdf
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5 SGSTS36486-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STS8DN3LLH5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+67.79 грн
500+50.80 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5 en.CD00261578.pdf
STS8DN3LLH5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.63 грн
10+94.88 грн
100+64.53 грн
500+48.37 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5 en.CD00261578.pdf
STS8DN3LLH5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.50 грн
10+100.15 грн
100+58.11 грн
500+46.89 грн
1000+43.48 грн
10000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5 SGSTS36486-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STS8DN3LLH5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+158.50 грн
10+101.61 грн
100+67.79 грн
500+50.80 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5 en.CD00261578.pdf
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.