STS8DN6LF6AG

STS8DN6LF6AG STMicroelectronics


sts8dn6lf6ag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STS8DN6LF6AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STS8DN6LF6AG за ціною від 35.49 грн до 133.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00347942.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics sts8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics sts8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMICROELECTRONICS 2816097.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.88 грн
500+52.34 грн
1000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics sts8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+95.96 грн
177+70.26 грн
500+57.16 грн
1000+49.93 грн
2500+40.25 грн
5000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics sts8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
126+98.63 грн
164+75.66 грн
500+65.58 грн
1000+51.70 грн
2500+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00347942.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.78 грн
10+83.47 грн
100+60.63 грн
500+45.22 грн
1000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00347942.pdf MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.83 грн
10+90.50 грн
100+56.07 грн
500+44.57 грн
1000+41.84 грн
2500+38.21 грн
5000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMICROELECTRONICS 2816097.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.93 грн
10+94.22 грн
100+70.88 грн
500+52.34 грн
1000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics sts8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+133.94 грн
10+102.82 грн
100+75.28 грн
500+59.06 грн
1000+49.53 грн
2500+41.40 грн
5000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00347942.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AG Виробник : STMicroelectronics sts8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.