STS8DN6LF6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.30 грн |
| 5000+ | 34.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STS8DN6LF6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STS8DN6LF6AG за ціною від 39.31 грн до 199.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS8DN6LF6AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STS8DN6LF6AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STS8DN6LF6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STS8DN6LF6AG | STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STS8DN6LF6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STS8DN6LF6AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STS8DN6LF6AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.29 грн |
| STS8DN6LF6AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.62 грн |
| STS8DN6LF6AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 79.50 грн |
| 500+ | 61.51 грн |
| 1000+ | 52.39 грн |
| STS8DN6LF6AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.60 грн |
| 10+ | 83.18 грн |
| 100+ | 56.19 грн |
| 500+ | 41.88 грн |
| 1000+ | 39.31 грн |
| STS8DN6LF6AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 199.15 грн |
| 10+ | 128.43 грн |
| 100+ | 79.50 грн |
| 500+ | 61.51 грн |
| 1000+ | 52.39 грн |
| STS8DN6LF6AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET
MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)