Технічний опис STS8DNF3LL STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції STS8DNF3LL за ціною від 31.25 грн до 126.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STS8DNF3LL | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STS8DNF3LL | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STS8DNF3LL | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 6889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STS8DNF3LL | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| STS8DNF3LL | Виробник : ST |
SO-8 |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STS8DNF3LL | Виробник : STM |
MOSFET 2N-ch. Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STS8DNF3LL | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30 Volt 8 Amp |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STS8DNF3LL | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Case: SO8 Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STS8DNF3LL | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; 30V; 8A; 2W; SOIC8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: SOIC8 Gate-source voltage: 16V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |