Продукція > ST > STS8DNH3LL

STS8DNH3LL


en.CD00033457.pdf Виробник: ST

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STS8DNH3LL ST

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції STS8DNH3LL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STS8DNH3LL STS8DNH3LL Виробник : STMicroelectronics 215286793505234cd00033457.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNH3LL STS8DNH3LL Виробник : STMicroelectronics en.CD00033457.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNH3LL STS8DNH3LL Виробник : STMicroelectronics en.CD00033457.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNH3LL STS8DNH3LL Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00033457-1205544-1275324.pdf MOSFET Dual N-Ch 30 Volt 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.