Продукція > ST > STS9NF30L

STS9NF30L

Виробник: ST

на замовлення 11897 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STS9NF30L ST

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STS9NF30L

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STS9NF30L	Виробник : ST	09+	на замовлення 35018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
STS9NF30L	Виробник : ST	09+ SMD	на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
STS9NF30L	Виробник : ST	09+ SO-8	на замовлення 12897 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
STS9NF30L	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STS9NF30L	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.