Продукція > STMICROELECTRONICS > STS9P2UH7

STS9P2UH7 STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STS9P2UH7 STMicroelectronics

Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V.

Інші пропозиції STS9P2UH7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STS9P2UH7	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET P-CH 20V 9A 8-Pin SO N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STS9P2UH7	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STS9P2UH7	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.