STT4P3LLH6 STMicroelectronics
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STT4P3LLH6 STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STT4P3LLH6 за ціною від 11.79 грн до 46.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 4 A STripFET H6 Power MOSFET |
на замовлення 20083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |