Продукція > STMICROELECTRONICS > STT4P3LLH6
STT4P3LLH6

STT4P3LLH6 STMicroelectronics

en.DM00084060.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.47 грн
6000+12.80 грн
9000+12.22 грн
15000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STT4P3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STT4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.

Інші пропозиції STT4P3LLH6 за ціною від 15.19 грн до 60.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STT4P3LLH6 STT4P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00084060.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 17240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.22 грн
10+36.22 грн
100+23.46 грн
500+16.86 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6 STT4P3LLH6 STMICROELECTRONICS en.DM00084060.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STT4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6 STT4P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00084060.pdf MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L packa
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6 en.DM00084060.pdf
STT4P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 17240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.22 грн
10+36.22 грн
100+23.46 грн
500+16.86 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6 en.DM00084060.pdf
STT4P3LLH6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STT4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6 en.DM00084060.pdf
STT4P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L packa
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.