STT4P3LLH6 STMicroelectronics
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 10.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STT4P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STT4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STT4P3LLH6 за ціною від 12.99 грн до 58.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 4 A STripFET H6 Power MOSFET |
на замовлення 20083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
на замовлення 3868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STT4P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STT4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STT4P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |