STT6N3LLH6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.22 грн |
| 6000+ | 13.89 грн |
| 9000+ | 12.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STT6N3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: STripFET VI DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Інші пропозиції STT6N3LLH6 за ціною від 13.12 грн до 61.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STT6N3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.6 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 12796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STT6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V |
на замовлення 25234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STT6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STT6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI |
на замовлення 9269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STT6N3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.6 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 12796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STT6N3LLH6 Код товару: 155989 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
STT6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.75A; Idm: 24A; 1.6W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.75A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STT6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STT6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STT6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STT6N3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.75A; Idm: 24A; 1.6W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.75A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |