Технічний опис STTH6112TV1 STMicroelectronics
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: ISOTOP®, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.25 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції STTH6112TV1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
STTH6112TV1 | Виробник : ST |
![]() |
на замовлення 211 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
STTH6112TV1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STTH6112TV1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: ISOTOP® Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.25 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |