
STTH810G-TR STMicroelectronics
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 39.43 грн |
2000+ | 34.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STTH810G-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STTH810G-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 8 A, Einfach, 2 V, 85 ns, 60 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 60A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2V, Sperrverzögerungszeit: 85ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STTH810G-TR за ціною від 34.14 грн до 120.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STTH810G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STTH810G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STTH810G-TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 85ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STTH810G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STTH810G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STTH810G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STTH810G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STTH810G-TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 85ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STTH810G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STTH810G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 8A; 47ns; D2PAK; Ufmax: 2V; Ifsm: 60A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 60A Case: D2PAK Max. forward voltage: 2V Max. load current: 30A Reverse recovery time: 47ns Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STTH810G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 8A; 47ns; D2PAK; Ufmax: 2V; Ifsm: 60A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 60A Case: D2PAK Max. forward voltage: 2V Max. load current: 30A Reverse recovery time: 47ns Leakage current: 5µA |
товару немає в наявності |