STU10NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 89.19 грн |
| 5+ | 57.63 грн |
| 25+ | 39.84 грн |
| 67+ | 37.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU10NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STU10NM60N за ціною від 88.12 грн до 210.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STU10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STU10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STU10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| STU10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
STU10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V |
товар відсутній |