Продукція > STMICROELECTRONICS > STU10NM60N
STU10NM60N

STU10NM60N STMicroelectronics

STD10NM60N.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.32 грн
25+79.73 грн
75+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU10NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STU10NM60N за ціною від 80.88 грн до 280.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU10NM60N STU10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.64 грн
10+180.41 грн
100+122.71 грн
500+103.19 грн
1000+95.52 грн
3000+80.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NM60N STU10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.