STU11N65M2

STU11N65M2 STMICROELECTRONICS


en.DM00116928.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STU11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 762 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+166.31 грн
10+84.80 грн
100+76.15 грн
500+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU11N65M2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STU11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STU11N65M2 за ціною від 56.00 грн до 171.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU11N65M2 STU11N65M2 Виробник : STMicroelectronics std11n65m2-1850260.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.25 грн
10+86.93 грн
100+67.52 грн
250+67.45 грн
500+57.61 грн
1000+56.07 грн
3000+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU11N65M2 STU11N65M2 Виробник : STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU11N65M2 Виробник : STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU11N65M2 STU11N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00116928.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.