Продукція > STMICROELECTRONICS > STU12N60M2

STU12N60M2 STMicroelectronics

Name: STU12N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 144579-4
Price: 369.88 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	92.47 грн
10+	85.24 грн
100+	48.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STU12N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 9A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STU12N60M2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STU12N60M2	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STU12N60M2	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STU12N60M2	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V 9A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.