STU16N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.53 грн |
| 10+ | 142.28 грн |
| 75+ | 102.28 грн |
| 150+ | 86.83 грн |
| 525+ | 73.82 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU16N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STU16N65M2 за ціною від 67.26 грн до 237.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STU16N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package |
на замовлення 772 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STU16N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; 650V; 11A; 110W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 19.5nC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| STU16N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 772 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.87 грн |
| 10+ | 112.48 грн |
| 100+ | 88.78 грн |
| 500+ | 73.73 грн |
| 1000+ | 67.94 грн |
| 3000+ | 67.26 грн |
| STU16N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; 650V; 11A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; 650V; 11A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 98.75 грн |
| 375+ | 82.35 грн |