| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.87 грн |
| 10+ | 61.78 грн |
| 100+ | 42.64 грн |
| 500+ | 36.16 грн |
| 1000+ | 29.40 грн |
| 3000+ | 27.66 грн |
| 6000+ | 26.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU2LN60K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 600V 2A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STU2LN60K3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STU2LN60K3 | Виробник : STM |
 MOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3, TO-251-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
STU2LN60K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 600V 2A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
товару немає в наявності |