STU2N62K3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.23 грн |
| 10+ | 97.37 грн |
| 75+ | 69.02 грн |
| 150+ | 58.28 грн |
| 525+ | 49.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU2N62K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STU2N62K3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STU2N62K3 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| STU2N62K3 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.2A; 45W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 2.2A Power dissipation: 45W Case: IPAK; TO251 On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STU2N62K3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STU2N62K3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.2A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.2A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.