Продукція > STMICROELECTRONICS > STU2N80K5
STU2N80K5

STU2N80K5 STMicroelectronics

en.DM00090142.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.31 грн
75+50.59 грн
150+45.37 грн
525+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU2N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STU2N80K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STU2N80K5 STU2N80K5 STMicroelectronics en.DM00090142.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N80K5 STU2N80K5 STMICROELECTRONICS 2371869.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STU2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N80K5 en.DM00090142.pdf
STU2N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N80K5 2371869.pdf
STU2N80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STU2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.