Продукція > STMICROELECTRONICS > STU2N80K5
STU2N80K5

STU2N80K5 STMICROELECTRONICS

2371869.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STU2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.68 грн
11+78.38 грн
100+58.12 грн
500+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU2N80K5 STMICROELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STU2N80K5 за ціною від 34.13 грн до 143.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU2N80K5 STU2N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00090142.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.34 грн
75+57.70 грн
150+50.28 грн
525+41.24 грн
1050+35.79 грн
2025+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N80K5 STU2N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00090142.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.85 грн
10+65.16 грн
100+51.08 грн
500+42.79 грн
1000+36.03 грн
3000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N80K5 STU2N80K5 Виробник : STMicroelectronics 2152983153181702dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N80K5 Виробник : STMicroelectronics 2152983153181702dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.