STU2N95K5

STU2N95K5 STMicroelectronics


1515735725189512dm000.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
406+30.01 грн
462+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU2N95K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 2A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STU2N95K5 за ціною від 37.87 грн до 112.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU2N95K5 STU2N95K5 Виробник : STMicroelectronics std2n95k5-1850436.pdf MOSFET N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.17 грн
10+92.84 грн
100+62.60 грн
500+53.06 грн
1000+42.42 грн
3000+37.94 грн
6000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N95K5 STU2N95K5 Виробник : STMicroelectronics 1515735725189512dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N95K5 Виробник : STMicroelectronics 1515735725189512dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N95K5 STU2N95K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00096154.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.