STU2NK100Z STMicroelectronics
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.66 грн |
| 10+ | 51.44 грн |
| 100+ | 41.28 грн |
| 500+ | 40.28 грн |
| 1000+ | 37.21 грн |
| 3000+ | 36.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU2NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STU2NK100Z за ціною від 24.67 грн до 239.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.16A Power dissipation: 70W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.16A Power dissipation: 70W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STU2NK100Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C; STU2NK100Z TSTU2NK100Z кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |