STU2NK100Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK; ESD
Mounting: THT
Case: IPAK
Power dissipation: 70W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
On-state resistance: 8.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.45 грн |
| 25+ | 56.60 грн |
| 26+ | 35.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU2NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STU2NK100Z за ціною від 24.27 грн до 235.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 1000V-6.25ohms Zener SuprMESH 1.85A |
на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK; ESD Mounting: THT Case: IPAK Power dissipation: 70W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.16A On-state resistance: 8.5Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STU2NK100Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C; STU2NK100Z TSTU2NK100Z кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |