STU3N62K3

STU3N62K3 STMicroelectronics


en.CD00204091.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.33 грн
10+62.47 грн
100+54.25 грн
500+50.88 грн
1000+42.54 грн
3000+39.25 грн
6000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU3N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STU3N62K3 за ціною від 155.60 грн до 155.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU3N62K3 STU3N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00204091.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N62K3 STU3N62K3 Виробник : STMicroelectronics 233889734320130cd00204091.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N62K3 Виробник : STMicroelectronics 233889734320130cd00204091.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N62K3 STU3N62K3 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9536955A40745&compId=STD3N62K3.pdf?ci_sign=dd4eb87d202c891df3f81ebf5f8a8f9bc8679901 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 1.7A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU3N62K3 STU3N62K3 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9536955A40745&compId=STD3N62K3.pdf?ci_sign=dd4eb87d202c891df3f81ebf5f8a8f9bc8679901 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 1.7A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.