
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.33 грн |
10+ | 62.47 грн |
100+ | 54.25 грн |
500+ | 50.88 грн |
1000+ | 42.54 грн |
3000+ | 39.25 грн |
6000+ | 36.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU3N62K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STU3N62K3 за ціною від 155.60 грн до 155.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STU3N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
STU3N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
STU3N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
STU3N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 1.7A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 1.7A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
STU3N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 1.7A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 1.7A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |