
STU3N80K5 STMicroelectronics
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.45 грн |
10+ | 92.84 грн |
100+ | 63.63 грн |
500+ | 53.94 грн |
1000+ | 42.05 грн |
3000+ | 41.03 грн |
6000+ | 39.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU3N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STU3N80K5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STU3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STU3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STU3N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |