
STU4N52K3 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2A
On-state resistance: 2.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMESH3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 56.00 грн |
15+ | 27.74 грн |
48+ | 19.30 грн |
132+ | 18.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU4N52K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STU4N52K3 за ціною від 14.20 грн до 105.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK Case: IPAK Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 525V Drain current: 2A On-state resistance: 2.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: SuperMESH3™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STU4N52K3 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |