STU4N62K3 STMicroelectronics
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.22 грн |
| 10+ | 67.06 грн |
| 100+ | 53.25 грн |
| 500+ | 49.26 грн |
| 1000+ | 43.43 грн |
| 3000+ | 41.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU4N62K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STU4N62K3 за ціною від 37.44 грн до 37.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STU4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 620V; 3.8A; 70W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 620V Drain current: 3.8A Power dissipation: 70W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||
|
|
STU4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||
| STU4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
||||||
|
STU4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |

