STU4N80K5

STU4N80K5 STMICROELECTRONICS


en.DM00092669.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STU4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.45 грн
16+53.02 грн
100+48.25 грн
500+42.96 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU4N80K5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STU4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STU4N80K5 за ціною від 47.92 грн до 127.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU4N80K5 STU4N80K5 Виробник : STMicroelectronics std4n80k5-1850299.pdf MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.58 грн
10+77.23 грн
100+61.13 грн
250+61.06 грн
500+52.47 грн
1000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N80K5 STU4N80K5 Виробник : STMicroelectronics 726326085587538dm00092669.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N80K5 Виробник : STMicroelectronics 726326085587538dm00092669.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N80K5 STU4N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU4N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.