STU6N60M2

STU6N60M2 STMicroelectronics


stf6n60m2-1850628.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 903 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+70.81 грн
100+53.93 грн
500+45.83 грн
1000+37.52 грн
3000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU6N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STU6N60M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU6N60M2 STU6N60M2 Виробник : STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60M2 Виробник : STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N60M2 STU6N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00087510.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.