STU6N95K5

STU6N95K5 STMicroelectronics


en.CD00261184.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 2183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.70 грн
75+85.96 грн
150+84.52 грн
525+77.86 грн
1050+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU6N95K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STU6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STU6N95K5 за ціною від 81.46 грн до 158.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU6N95K5 STU6N95K5 Виробник : STMICROELECTRONICS en.CD00261184.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STU6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.37 грн
10+138.31 грн
100+128.43 грн
500+110.85 грн
1000+93.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5 STU6N95K5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00261184.pdf MOSFETs N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
на замовлення 5463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.40 грн
10+102.12 грн
100+83.67 грн
500+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5 STU6N95K5 Виробник : STMicroelectronics 2696659185562920cd0026.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5 Виробник : STMicroelectronics 2696659185562920cd0026.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00261184.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N95K5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00261184.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 90W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.