
STU6N95K5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STU6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 107.29 грн |
10+ | 106.43 грн |
100+ | 104.72 грн |
500+ | 96.44 грн |
1000+ | 87.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU6N95K5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STU6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STU6N95K5 за ціною від 77.28 грн до 174.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STU6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STU6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STU6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STU6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STU6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STU6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STU6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STU6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 9.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STU6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 9.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |