Продукція > STMICROELECTRONICS > STU6NF10
STU6NF10

STU6NF10 STMicroelectronics

en.CD00002457.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.53 грн
75+41.00 грн
150+35.75 грн
525+30.95 грн
1050+27.30 грн
2025+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU6NF10 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STU6NF10 за ціною від 25.12 грн до 94.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU6NF10 STU6NF10 Виробник : STMICROELECTRONICS en.CD00002457.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.39 грн
16+51.95 грн
100+43.14 грн
500+34.71 грн
1000+27.38 грн
5000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10 STU6NF10 Виробник : STMicroelectronics std6nf10-1850528.pdf MOSFETs N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.18 грн
10+53.00 грн
100+38.31 грн
500+33.17 грн
1000+28.40 грн
3000+25.98 грн
9000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10 STU6NF10 Виробник : STMicroelectronics 7906.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10 Виробник : STMicroelectronics cd0000245.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU6NF10 STU6NF10 Виробник : STMicroelectronics cd0000245.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.