STU6NF10 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.74 грн |
| 75+ | 41.10 грн |
| 150+ | 35.83 грн |
| 525+ | 31.03 грн |
| 1050+ | 27.36 грн |
| 2025+ | 27.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU6NF10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STU6NF10 за ціною від 25.18 грн до 94.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STU6NF10 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STU6NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 100V-0.22ohms 6A |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STU6NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STU6NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STU6NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |