
STU6NF10 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 75.00 грн |
19+ | 46.81 грн |
100+ | 42.33 грн |
500+ | 30.58 грн |
1000+ | 24.23 грн |
5000+ | 22.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU6NF10 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STU6NF10 за ціною від 20.75 грн до 95.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STU6NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STU6NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STU6NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STU6NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STU6NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |