STU7N80K5

STU7N80K5 STMicroelectronics


en.DM00060222.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.83 грн
10+86.09 грн
100+71.12 грн
250+69.50 грн
500+63.41 грн
1000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU7N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STU7N80K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU7N80K5 STU7N80K5 Виробник : STMicroelectronics stu7n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N80K5 Виробник : STMicroelectronics stu7n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N80K5 STU7N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00060222.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.