STU7NM60N

STU7NM60N STMicroelectronics


en.CD00252114.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 2843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.57 грн
75+93.65 грн
150+84.76 грн
525+67.68 грн
1050+62.54 грн
2025+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU7NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STU7NM60N за ціною від 59.45 грн до 218.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU7NM60N STU7NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00252114.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.73 грн
10+100.99 грн
100+78.76 грн
500+67.75 грн
1000+60.57 грн
3000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU7NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00252114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.