Продукція > STMICROELECTRONICS > STU9HN65M2
STU9HN65M2

STU9HN65M2 STMicroelectronics

2182066740172490dm001.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+3.74 грн
332+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU9HN65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STU9HN65M2 за ціною від 31.12 грн до 117.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STU9HN65M2 STU9HN65M2 Виробник : STMicroelectronics SGST_S_A0003112112_1-2563856.pdf MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.30 грн
10+55.53 грн
100+43.45 грн
500+36.62 грн
1000+31.26 грн
3000+31.19 грн
24000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU9HN65M2 STU9HN65M2 Виробник : STMicroelectronics 2182066740172490dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU9HN65M2
Код товару: 199737
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU9HN65M2 STU9HN65M2 Виробник : STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.