Інші пропозиції STU9HN65M2 за ціною від 29.55 грн до 111.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STU9HN65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STU9HN65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
товару немає в наявності |