STU9N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.38 грн |
| 75+ | 67.48 грн |
| 150+ | 53.47 грн |
| 525+ | 42.54 грн |
| 1050+ | 34.65 грн |
| 2025+ | 32.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU9N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STU9N60M2 за ціною від 31.71 грн до 95.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STU9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STU9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STU9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STU9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STU9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |