
STW10N95K5 STMicroelectronics
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 204.27 грн |
25+ | 164.13 грн |
100+ | 121.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW10N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW10N95K5 за ціною від 133.74 грн до 333.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW10N95K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW10N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW10N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
STW10N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
STW10N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
STW10N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
STW10N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Pulsed drain current: 32A |
товару немає в наявності |