STW10NK60Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Drain current: 5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 329.82 грн |
| 10+ | 188.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW10NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW10NK60Z за ціною від 101.55 грн до 458.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW10NK60Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
STW10NK60Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
STW10NK60Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
STW10NK60Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
STW10NK60Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| STW10NK60Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Zкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STW10NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 371.48 грн |
| STW10NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 454.58 грн |
| 10+ | 263.37 грн |
| 100+ | 176.28 грн |
| STW10NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 458.25 грн |
| 54+ | 265.49 грн |
| 100+ | 177.70 грн |
| STW10NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STW10NK60Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STW10NK60Z |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 101.55 грн |






